حذف ساختار mn۳ga با تقارن بلوری کم از محلول آلیاژسازی mn-ga با افزودن ge

نویسندگان

فریبا نظری

f. nazari 1- department of physics, yazd university, yazd, iran1- دانشکده فیزیک، دانشگاه یزد محسن حکیمی

m. hakimi 1- department of physics, yazd university, yazd, iran1- دانشکده فیزیک، دانشگاه یزد حسین مختاری

h. mokhtari 1- department of physics, yazd university, yazd, iran1- دانشکده فیزیک، دانشگاه یزد امیرسجاد اسماعیلی

a.s. esmaeily 2- school of physics and crann, trinity college, dublin 2, ireland2- دانشکده فیزیک و مرکز تحقیقات نانوافزارها و نانوساختارهای انطباقی، دانشگاه ترینیتی دوبلین، ایرلند

چکیده

در این پژوهش آسیاب کاری به عنوانی روشی برای ساخت آلیاژهایی دوتایی mn-ga و تأثیر آسیاب کاری بر فرایند تشکیل فاز نمونه های mn:ga با نسبت 2:1 و 3:1 در زمان­های 1، 2 و 5 ساعت مورد مطالعه قرار گرفت. در نمونه­های mn:ga با توجه به نتایج حاصل شده، ترکیب­ mn1.86ga با ساختار تتراگونال و گروه فضایی i4/mmm فاز پایدار بود و هم چنین مقادیری از ترکیب mn3ga با ساختار اورتورومبیک و گروه فضایی cmca در محصول شناسایی شد. اثر افزودن ge نیز با هدف جانشین کردن اتم ge با اتم ga ، با مطالعه در نمونه mn:ga:ge با نسبت 5/0: 5/0: 3 مطالعه شد. با این که بهبود ویژگی های مغناطیسی با افزودن ge قابل انتظار است، اما برای نمونه مورد بررسی افزایش وادارندگی رخ داد و مغناطش اشباع نمونه تغییر محسوسی نداشت. افزایش ge سبب از بین رفتن شانس تولید فاز نامتقارن اورتورومبیک mn3ga شد و در مقابل دو ساختار جدید mn11ge8 و mngage در نمونه ایجاد شد. این تحول فازی با مطالعه رفتار مغناطیسی نمونه­ها تأیید شد. این رفتار می­تواند از نیروهای نامتوازن الکترواستاتیک مرتبط با برهم کنش تبادلی منگنز در ترکیب ساختار اورتورومیبک mn3ga و جایگزین شدن برخی اتم­های ge با ga ناشی ­شده باشد.

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

حذف ساختار Mn3Ga با تقارن بلوری کم از محلول آلیاژسازی Mn-Ga با افزودن Ge

In this paper, milling was investigated as a method for production of Mn-Ga binary alloys and the effect of milling process on phase formation of Mn:Ga samples with 2:1 and 3:1 ratio within 1, 2 and 5 hour milling times was studied. For Mn:Ga samples, according to the results, Mn1.86Ga compound with tetragonal structure and I4/mmm space group was a stable phase. Also, some amounts of  Mn3G...

متن کامل

FERROMAGNETISM IN (Ga,Mn)As AND (Ga,Mn)N

(Ga,Mn)As and (Ga,Mn)N are so called diluted magnetic semiconductors, i.e. semiconductor based materials made ferromagnetic by inclusion of a magnetic element—in this case Mn. This type of materials bridge over the incompatibilities in metal–semiconductor interfaces in electronics components and have an enormous potential for future spintronics applications, where both charge and spin degrees o...

متن کامل

اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین

Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...

متن کامل

اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین

Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...

متن کامل

Clustering of Mn in (Ga,Mn)As

Clustering of (Ga,Mn)As is studied with the supercell density-functional calculations using the projector augmentedwave method. We find large binding energies for a single substitutional Mn atom to existing dimers and trimers giving rise to trimer and tetramer formation. For larger clusters this binding energy drops. In all cases studied, ferromagnetic alignment is found to be energetically mor...

متن کامل

Mn interstitial diffusion in (ga,mn)as.

We present a combined theoretical and experimental study of the ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As which explains the remarkably large changes observed on low-temperature annealing. Careful control of the annealing conditions allows us to obtain samples with ferromagnetic transition temperatures up to 159 K. Ab initio calculations, in situ Auger spectroscopy, and resistivity measurements dur...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید


عنوان ژورنال:
مواد پیشرفته در مهندسی (استقلال)

جلد ۳۵، شماره ۲، صفحات ۵۵-۶۵

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023